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    Sei qui:Home»Tendenze»Nuovo driver GaN per il controllo dei FET GaN

    Nuovo driver GaN per il controllo dei FET GaN

    By Redazione BitMAT29/02/20242 Mins Read
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    Analog Devices ha presentato in occasione di APEC24 un driver GaN half-bridge da 100 V che semplifica l’implementazione dei FET GaN, garantendo un controllo robusto del gate, una commutazione ad alta frequenza e una maggiore efficienza

    Analog Devices propone un driver GaN half-bridge da 100 V che semplifica l’implementazione dei FET GaN, garantendo un controllo robusto del gate, una commutazione ad alta frequenza e una maggiore efficienza del sistema. Integrando i driver stage superiore e inferiore, il controllo della logica di drive e le protezioni, il nuovo LT8418 può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full- bridge, oppure in topologie buck, boost e buck-boost. Il dispositivo offre una forte capacità di sourcing/sinking di corrente con una resistenza di pull-up da 0,6Ω e di pull-down da 0,2Ω per pilotare una varietà di FET GaN. Inoltre, integra uno smart switch di bootstrap per generare una tensione di bootstrap bilanciata da V CC con una tensione di dropout minima.

    L’LT8418 fornisce split gate drivers per regolare le velocità di risposta nell’accensione e spegnimento dei FET GaN per sopprimere il ringing e ottimizzare le prestazioni EMI. Tutti gli ingressi e le uscite del driver hanno un low-state predefinito per evitare false accensioni dei FET GaN. Gli ingressi PWM (Pulse-width modulation) dell’LT8418, INT e INB, sono indipendenti e compatibili con la logica TTL per un controllo preciso. L’LT8418 opera con un delay di propagazione di 10ns e mantiene una delay matching di 1,5ns tra i canali superiore e inferiore, il che lo rende adatto ai convertitori DC-DC ad alta frequenza, ai driver dei motori e agli amplificatori audio di classe-D. Inoltre, l’LT8418 utilizza il package WLCSP per ridurre al minimo l’induttanza parassita, consentendo un ampio utilizzo in applicazioni ad alte prestazioni e ad alta densità di potenza.

    Specifiche del Driver GaN di Analog Devices

    • Split gate driver con pullup da 0,6Ω e pulldown da 0,2Ω per un comportamento on/off regolabile
    • Capacità di corrente di picco di 4A per la sorgente e 8A per il sink
    • Delay di propagazione ridotto: 10ns tipici
    • Delay matching di propagazione: 1,5ns tipico
    • Elevato dv/dt immune fino a 50V/ns
    • Protezioni di blocco da sottotensione (VCC e BST) e sovratensione (VCC)
    • Smart switch di bootstrap integrato regola la tensione di pilotaggio del gate HS per operare entro la SOA dei FET GaN
    Analog Devices driver GaN
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    Redazione BitMAT
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